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TK3051高精度单晶硅差压、压力变送器

标准规格 (以标准零点为基准调校量程,不锈钢316L膜片,填充液为硅油) 1性能规格 调量程的参考精度 (包括从零点开始的线性、回差和重复性) 0.075% 若TD10(TD=最大量程/调节量程)则为: (0.0075TD)% 平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍 环境温度影
产品详情 技术参数 优势与服务  
标准规格

 

(以标准零点为基准调校量程,不锈钢 316L膜片,填充液为硅油)

 

1性能规格20140813.jpg

调量程的参考精度

(包括从零点开始的线性、回差和重复性)

± 0.075%

若TD>10 (TD=最大量程/调节量程)则为:

±(0.0075×TD)%

平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍

 

环境温度影响

量程代码

-20℃~65℃总影响量

A

±(0.45×TD+0.25)%×Span

B

±(0.30×TD+0.20)%×Span

C/D/E

±(0.20×TD+0.10)%×Span

量程代码

-40℃~-20℃和65℃~85℃总影响量

A

±(0.45×TD+0.25)%×Span 

B

±(0.30×TD+0.20)%×Span

C/D/E

±(0.20×TD+0.10)%×Span

 

过范围影响:±0.075%×Span

 

静压影响

量程代码

影响量

A

±(0.15%URL+0.10%Span)/4MPa

B

±(0.10%URL+0.075%Span)/16MPa

C/D/E

±(0.05%URL+0.05%Span)/16MPa

 

过压影响

量程代码

影响量

A

±0.2%×Span/4MPa

B

±0.2%×Span/16MPa

C/D/E

±0.1%×Span/16MPa

 

长期稳定性    

量程代码

影响量

A

  ±0.5%×Span/1年

B

  ±0.2%×Span/1年

C/D/E

  ±0.1%×Span/1年

 

电源影响: ±0.001% /10V (12~42V DC),可忽略不计。                                         

 

2功能规格

量程和范围

量程/

范围

kPa

mbar

A

量程

0.1~1

1~10

范围

-1~1

-10~10

B

量程

0.2~6

2~60

范围

-6~6

-60~60

C

量程

0.4~40

4~400

范围

-40~40

-400~400

D

量程

2.5~250

25~2500

范围

-250~250

-2500~2500

E

量程

20~2000

0.2~20 bar

范围

-500~2000

-5~20bar


电磁兼容性附表

序号

测试项目

基本标准

测试条件

性能等级

1

辐射干扰(外壳)

GB/T 9254-2008表5

30MHz1000MHz

合格

2

传导干扰

(直流电源端口)

GB/T 9254-2008表1

0.15MHz30MHz

合格

3

静电放电(ESD)抗扰度

GB/T 17626.2-2006

4kV(触点)

8kV(空气)

B

4

射频电磁场抗扰度

GB/T 17626.3-2006

10V/m (80MHz1GHz)

A

5

工频磁场抗扰度

GB/T 17626.8-2006

30A/m 

A

6

电快速瞬变脉冲群抗扰度

GB/T 17626.4-2008

2kV(5/50ns,5kHz)

B

7

浪涌抗扰度

GB/T 17626.5-2008

1kV(线线之间)

2kV(线地之间)(1.2us/50us)

B

8

射频场感应的传导干扰抗扰度

GB/T 17626.6-2008

3V (150KHz80MHz)

A

注:(1)A性能等级说明:测试时,在技术规范极限内性能正常。

   (2)B性能等级说明:测试时,功能或性能暂时降低或丧失,但能自行恢复,实际运行状况、存储及其数据不改变。

 
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